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絕緣柵型場效應管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，簡稱MOSFET。分為：
增強型 ： N溝道、P溝道 耗盡型： N溝道、P溝道
N溝道增強型MOS管
結構：4個電極：漏極D、源極S、柵極G、襯底B。
工作原理：
當uGS=0V時，漏源之間相當兩個背靠背的 二極管，在d、s之間加上電壓也不會形成電流，即管子截止。
當uGS＞0V時→縱向電場→將靠近柵極下方的空穴向下排斥→耗盡層。
繼續增加uGS→縱向電場↑→將P區少子電子聚集到P區表面→形成導電溝道，如果此時加有漏源電壓，就可以形成漏極電流id。
N溝道增強型MOS管的基本特性：
uGS ＜ UT，管子截止，
uGS ＞UT，管子導通。
uGS 越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓uDS作用下，漏極電流ID越大。
N溝道增強型MOS管
轉移特性曲線：iD=f(uGS)uDS=const
可根據輸出特性曲線作出移特性曲線。
N溝道增強型MOS管
跨導gm：
gm=iD/uGS uDS=const (單位ms)
gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控製作用。
在轉移特性曲線上，gm為的曲線的斜率。
在輸出特性曲線上也可求出gm。
N溝道耗盡型MOSFET
在柵極下方的SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。所以當uGS=0時，這些正離子已經感應出反型層，形成了溝道。
工作原理
當uGS=0時，就有溝道，加入uDS，就有iD。
當uGS＞0時，溝道增寬，iD進一步增加。
當uGS＜0時，溝道變窄，iD減小。
定義
夾斷電壓（ UP）——溝道剛剛消失所需的柵源電壓uGS。
P溝道耗盡型MOSFET
P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過導電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。
MOS管的主要參數
（1）開啟電壓UT
（2）夾斷電壓UP
（3）跨導gm：gm=iD/uGS uDS=const
（4）直流輸入電阻RGS ——柵源間的等效電阻。由於MOS管柵源間有SiO2絕緣層，輸入電阻可達109～1015
Trench-MOS
2.MOS應用
開關作用
隔離作用
為實現線路上電流的單向流通，比如之讓電流由A--->B,阻止電流由B--->A，可以有以下兩種方法
方法2
方法1
使用MOS管做隔離，在正向導通時，在控製端加適當的電壓，可以讓MOS管飽和導通，此時導通壓降幾乎為0，故在實際電路中經常使用MOS做隔離。
1.概述
EOS是 Electrical Over Stress 的縮寫，指所有過度電性應力。當外界電流或電壓超過器件的最大規範條件式，器件性能會減弱甚至損壞。
EOS通常產生於：
1.電源(AC/DC)幹擾、電源雜訊和過電壓
2.由於測試程式切換（熱切換）導致瞬變電流/峰值/低頻幹擾
3.閃電
4.測試程式開關引起的瞬態毛刺短時脈沖形幹擾
5.測試設計欠佳，例如，在器件尚未加電或已超過其操作上限的情況下給器件發送測試信號
6.來自其他設備的脈沖信號幹擾，即從其他裝置發送的脈沖
7.不恰當的工作步驟，工作流程不合理
上述現象，我們歸納為：靜電、浪湧
相關概念
1.1 靜電(ESD)
靜電的產生發生在兩個不同的帶電體之間，當其接觸或離開時發生電離現象，即為靜電放電，產生極快的瞬態脈沖電流，其特點是：持續時間短（高頻，約1GHz）、大電壓（高壓，最高可達30KV）、短時間（1/30ns）內能量最大。
1.2 浪湧(Surge)
通過對故障手機的分析判斷：
其浪湧產生的主要原因來自手機上電和斷電的過程，大的程序運作的突然中斷，以及其他電力設備進行充電的過程中電力系統切斷或者拋負載等。
浪湧主要特點是:瞬間脈沖電壓大，瞬態脈沖電流大，持續時間長，傳輸頻率低。
1.3 脈沖群
脈沖群多數產生在電網中，在實際電網中，電感負載斷開、繼電器觸點切換以及電鉆操作時在電網上產生瞬態脈沖群（EFT）幹擾。它可以使受試設備的數字系統尤其是CPU系統完全陷入混亂、程序跑飛、系統不斷復位、數據出現混亂。
上述三種幹擾方式比較如下：
1.4 浪湧保護器件
TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)稱為瞬態抑製二極管。是被專門設計用來抑製電路中的過壓保護器件，它可以將幾千伏的靜電電壓和浪湧電壓研製在一個非常安全的範圍之內，從而保護電路中的敏感組件免受高壓靜電及浪湧的損壞。
TVS采用先進的工藝半導體製程工藝製作，通過調節半導體PN結兩端電壓來啟動保護。它具有導通電阻精確、啟動速度快（<1ps）、一致性好、無老化等優點，廣泛地被應用在通訊、安防、車載、計算機、LCD以及各類消費類電子產品中。
1.5 TVS產品的優點
1.對敏感電子設備提供靜電（ESD）、浪湧（Surge）防護
2.低容（0.3pf最小）以及低插入損耗，適合高速數據線ESD防護
3.防靜電能力強，符合IEC61000-4-2法規第4等級，超出標準2~3倍
4.尺寸小，多芯片集成設計，減少布板空間和減少焊點及工藝步驟
1.6 TVS保護原理
從被保護器件角度考慮，主要有兩種形式造成器件損壞：
（1）過壓
（2）過流
所以，更低的鉗位電壓意味著更好的防護性能。
1.7 TVS 的V-I特性曲線
1.8 TVS 的選型方法
1.選擇合適的封裝
2.TVS的擊穿電壓大於電路的最大工作電壓
3.選擇符合測試要求的功率
4.選擇適合信號線頻率特點的結電容值
5.選擇鉗位電壓較小的
當前，電子設備在人民生活中日益增多，下面將針對我們經常使用的產品，再設計中如何將EOS的問題優先考慮，並得到更好的解決方案。
產品中，來自外界幹擾的，首先是充電設備和數據傳輸端口，上述產品有一個共同點，就是通過USB2.0/3.0來充電和進行數據傳輸。
在USB2.0/3.0中，我們把它分為兩部分來進行討論，一是充電部分（V-ge），二是數據傳輸部分。
2.手機結構圖
3.V-ge端Surge和ESD解決方案
V-ge端針對不同的供電電壓，需要提供不同層次的靜電浪湧保護方案
由於VCC供電端需要足夠的電流，同時不產生能量損耗，所以在電路中不直接串接退耦器件。所以要求ESD或TVS保護器件功率足夠大，為適應PCB需求，器件封裝要足夠小，同時也要求器件的抑製電壓越小越好。
4.V-Bat 端 Surge 和 ESD 解決方案
5.USB2.0、USB3.0、RF(WCDMA/TD-SCDMA/EDGE)、SD Card ESD解決方案
5.1 USB2.0、USB3.0典型ESD方案設計
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5.2 USB2.0、USB3.0典型ESD方案設計
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5.3 RF-ESD防護設計，防止天線因靜電的影響，靈敏度越來越差，輻射越來越大
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5.4 SD Card典型ESD解決方案
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5.5HDMI ESD解決方案
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6.Speaker、Earphone、Key-Pad 、SIM Card ESD解決方案
6.1 Speaker、Receiver 典型ESD解決方案
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6.2 Earphone、Key-Pad 典型ESD解決方案
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6.3 SIM-Card典型ESD解決方案
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